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Metadados

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m21b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34P/3QF6C3H
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21b/2018/01.30.15.34   (acesso restrito)
Última Atualização2018:01.30.15.34.07 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21b/2018/01.30.15.34.07
Última Atualização dos Metadados2021:03.04.02.45.42 (UTC) administrator
Chave de CitaçãoGranatoSilvRanvSouz:1987:LoTeCo
TítuloLow temperature conduction in a 12 KeV P-implanted Si layer
Ano1987
Data de Acesso25 maio 2024
Tipo de Trabalhojournal article
Número de Arquivos1
Tamanho5668 KiB
2. Contextualização
Autor1 Granato, Enzo
2 Silva, A. Ferreira da
3 Ranvaud, Ronald
4 Souza, Joel P. de
Grupo1 LAS-INPE-BR
2 LAS-INPE-BR
3 LAS-INPE-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
RevistaRevista de Física Aplicada e Instrumentação
Volumex
Páginas1-20
Histórico (UTC)2018-01-30 15:34:56 :: simone -> administrator :: 1987
2021-03-04 02:45:42 :: administrator -> simone :: 1987
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãofinaldraft
Palavras-ChaveIon implantation
low temperature conduction
doped semiconductors
ResumoWe study the low temperature behavior of the sheet resistitivy in a 12 KeV P-implanted layers in Si. We identify two condüction mechanisms through the impurity band: a nearest-neighbour- -hoppíng with an activation energy lower than that expected for bulk Si:P, and at lower temperatures, a variable -range -hopping regime which can be reasonable interpreted by Mott's law. Possible two -dimensional effàcts in this system are also discussed. RESUMO: Estuda-se o comportamento em baixas temperaturas da resistividad.e de folha de uma camada implantada com ions de P no Si com energia de 12 KeV. Identificam-se dois mecanismos de conducao atraves da banda de impureza: um mecanismo de salto aos vizinhos mais prOximos (NNH) com uma energia de ativacao menor do que aquela esperada para Si:? volumetrico, e em temperaturas mais baixas, um regime de salto variável (VRH) que pode ser interpretado razoávelmente utilizando-se a lei de Mott. Discute-se tambem a possibilidade de efeitos bidimensionais neste sistema.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Low temperature conduction...
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Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement
agreement.html 30/01/2018 13:34 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoINPE-4256.pdf
Grupo de Usuáriossimone
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.22
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citando
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark month nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark secondarytype session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
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